SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱
武莉莉; 冯良桓; 蔡伟; 张静全; 蔡亚平; 郑家贵; 朱居木; 陈诺夫
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:8Pages:827-832
Abstract用近空间华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜。研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面的CdS/CdTe界面的P谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论。
metadata_83四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家高技术研究与发展计划(编号:2 1AA513 1 ),国家重点基础研究发展规划(编号:G2 282 8)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1208456
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17815
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
武莉莉,冯良桓,蔡伟,等. 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱[J]. 半导体学报,2003,24(8):827-832.
APA 武莉莉.,冯良桓.,蔡伟.,张静全.,蔡亚平.,...&陈诺夫.(2003).近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱.半导体学报,24(8),827-832.
MLA 武莉莉,et al."近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱".半导体学报 24.8(2003):827-832.
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