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近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱 | |
武莉莉; 冯良桓; 蔡伟; 张静全; 蔡亚平; 郑家贵; 朱居木; 陈诺夫 | |
2003 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 24Issue:8Pages:827-832 |
Abstract | 用近空间华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜。研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面的CdS/CdTe界面的P谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论。 |
metadata_83 | 四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家高技术研究与发展计划(编号:2 1AA513 1 ),国家重点基础研究发展规划(编号:G2 282 8)资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1208456 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17815 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 武莉莉,冯良桓,蔡伟,等. 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱[J]. 半导体学报,2003,24(8):827-832. |
APA | 武莉莉.,冯良桓.,蔡伟.,张静全.,蔡亚平.,...&陈诺夫.(2003).近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱.半导体学报,24(8),827-832. |
MLA | 武莉莉,et al."近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱".半导体学报 24.8(2003):827-832. |
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