SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法
胡小华; 王圩; 朱洪亮; 王宝军; 李宝霞; 周帆; 田惠良; 舒惠云; 边静; 王鲁峰
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:8Pages:841-846
Abstract提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法。采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面。制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率。实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA)。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家高技术研究发展计划(No.2 1AA312 5 ),国家重点基础研究发展规划(No. G2 683 1)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1208513
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17813
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡小华,王圩,朱洪亮,等. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法[J]. 半导体学报,2003,24(8):841-846.
APA 胡小华.,王圩.,朱洪亮.,王宝军.,李宝霞.,...&王鲁峰.(2003).多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法.半导体学报,24(8),841-846.
MLA 胡小华,et al."多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法".半导体学报 24.8(2003):841-846.
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