SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在解复用模块设计中有效折射率变化的研究
邱海军; 刘育梁; 李芳; 贺月娇; 田珂珂; 辛红丽
2003
Source Publication光电子·激光
Volume14Issue:11Pages:1168-1170
Abstract研究了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的阵列波导光栅(AWG)分波器件,给出了此器件材料色散的数值拟合公式,进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明,刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重大课题资助(9 1 4 3),国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 2)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1210148
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17809
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邱海军,刘育梁,李芳,等. 在解复用模块设计中有效折射率变化的研究[J]. 光电子·激光,2003,14(11):1168-1170.
APA 邱海军,刘育梁,李芳,贺月娇,田珂珂,&辛红丽.(2003).在解复用模块设计中有效折射率变化的研究.光电子·激光,14(11),1168-1170.
MLA 邱海军,et al."在解复用模块设计中有效折射率变化的研究".光电子·激光 14.11(2003):1168-1170.
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