SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁
柴春林; 杨少延; 刘志凯; 廖梅勇; 陈诺夫
2003
Source Publication科学通报
Volume48Issue:8Pages:780-782
Abstract利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,Ce02的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1eV的范围内.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划(批准号:G2 365 5),国家自然科学基金(批准号:6 2 6 7)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1217368
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17793
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
柴春林,杨少延,刘志凯,等. CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁[J]. 科学通报,2003,48(8):780-782.
APA 柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,&陈诺夫.(2003).CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁.科学通报,48(8),780-782.
MLA 柴春林,et al."CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁".科学通报 48.8(2003):780-782.
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