SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性
钮金真; 李国华
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:10Pages:1067-1071
Abstract在室温下测量了GaInP/AlGanInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱,通过反射测量可以很容易得到激光器的腔模波长,但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号,用边激发配置可以测到量子阱的光致发光谱,但这样测得的光谱已经受到激光器中的分布布拉格反射镜(DBR)的调制。采用腐蚀去上DBR层的方法可以在背散射配置下测量子阱的光致光谱,但仍无法避免下DBR层对发光谱的调制作用,从而只有采用边激发-边发射模式才能测得VCSEL中量子阱的真实的光致发光谱。
metadata_83中央民族大学物理与电子工程系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1233633
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17785
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
钮金真,李国华. 利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性[J]. 半导体学报,2003,24(10):1067-1071.
APA 钮金真,&李国华.(2003).利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性.半导体学报,24(10),1067-1071.
MLA 钮金真,et al."利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性".半导体学报 24.10(2003):1067-1071.
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