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| 确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究 | |
| 赵鼎; 林世鸣 | |
| 2003 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 24Issue:10Pages:1093-1098 |
| Abstract | 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降，建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法，针对电极电压变化笔氧化层限制孔径变化的两种情况，在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算；针对两者所得结果的差异进行了简要的分析，指出了二者的特点及适用范围。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目(批准号 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1233657 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17783 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵鼎,林世鸣. 确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究[J]. 半导体学报,2003,24(10):1093-1098. |
| APA | 赵鼎,&林世鸣.(2003).确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究.半导体学报,24(10),1093-1098. |
| MLA | 赵鼎,et al."确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究".半导体学报 24.10(2003):1093-1098. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4938.pdf（303KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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