SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究
赵鼎; 林世鸣
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:10Pages:1093-1098
Abstract分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法,针对电极电压变化笔氧化层限制孔径变化的两种情况,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析,指出了二者的特点及适用范围。
metadata_83中国科学院半导研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1233657
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17783
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵鼎,林世鸣. 确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究[J]. 半导体学报,2003,24(10):1093-1098.
APA 赵鼎,&林世鸣.(2003).确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究.半导体学报,24(10),1093-1098.
MLA 赵鼎,et al."确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究".半导体学报 24.10(2003):1093-1098.
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