SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体纳米材料和物理
夏建白
2003
Source Publication物理
Volume32Issue:10Pages:693-699
Abstract半导体纳米材料是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心。文章介绍了半导体纳米材料的新进展,包括四个方面:半导体自组织生长量子点,纳米晶体,微腔光子晶体和纳米结构中的自旋电子学。本世纪开始的半导体纳米材料的是上世纪半导体超晶格量子阱研究的延续,同时双开辟了一些新领域,如:单电子的电子学、单光子的光子学,微腔和光子晶体,稀磁半导体和自旋电子的相干输运等,这些研究将为研制在新原理基础上的新器件和实现量子计算、量子通信打下基础。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1234680
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17779
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏建白. 半导体纳米材料和物理[J]. 物理,2003,32(10):693-699.
APA 夏建白.(2003).半导体纳米材料和物理.物理,32(10),693-699.
MLA 夏建白."半导体纳米材料和物理".物理 32.10(2003):693-699.
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