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集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积 | |
孙捷; 孙迎春 | |
2003 | |
Source Publication | 材料导报
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Volume | 17Issue:10Pages:78-79 |
Abstract | 介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;山东大学外国语学院 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1236018 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17769 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙捷,孙迎春. 集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积[J]. 材料导报,2003,17(10):78-79. |
APA | 孙捷,&孙迎春.(2003).集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积.材料导报,17(10),78-79. |
MLA | 孙捷,et al."集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积".材料导报 17.10(2003):78-79. |
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