集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积
	孙捷; 孙迎春
	2003
Source Publication	材料导报
Volume	17 Issue:10 Pages:78-79
Abstract	介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用，并报道了一些最新研究成果。
metadata_83	中科院半导体所;山东大学外国语学院
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1236018
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17769
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	孙捷,孙迎春. 集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积[J]. 材料导报,2003,17(10):78-79.
APA	孙捷,&孙迎春.(2003).集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积.材料导报,17(10),78-79.
MLA	孙捷,et al."集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积".材料导报 17.10(2003):78-79.

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