SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC
于雪峰; 石寅
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:11Pages:1211-1216
Abstract基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现。采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构与开关次序;利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法。在0.6μm N阱CMOS工艺平台下,12-bitDAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB,在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均耗为140mW。流片一次成功,主要性能指标满足设计要求。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高技术研究与发展计划资助项目(编号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1236143
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17767
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于雪峰,石寅. 基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC[J]. 半导体学报,2003,24(11):1211-1216.
APA 于雪峰,&石寅.(2003).基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC.半导体学报,24(11),1211-1216.
MLA 于雪峰,et al."基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC".半导体学报 24.11(2003):1211-1216.
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