SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
曾宇昕; 程国安; 王水凤; 肖志松
2003
Source Publication核技术
Volume26Issue:11Pages:823-826
Abstract采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中,经高温快速退火处理,制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明,经高温热处理,注入层形成结晶良好的钕硅化合物,出现由Nd_5Si_4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。
metadata_83中国科学院半导体研究所;南昌大学;北京师范大学低能核物理研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(69766 1)资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1237555
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17761
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
曾宇昕,程国安,王水凤,等. 低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究[J]. 核技术,2003,26(11):823-826.
APA 曾宇昕,程国安,王水凤,&肖志松.(2003).低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究.核技术,26(11),823-826.
MLA 曾宇昕,et al."低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究".核技术 26.11(2003):823-826.
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