双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长
	谭利文; 王俊; 王启元; 郁元桓; 邓惠芳; 王建华; 林兰英
	2003
Source Publication	半导体学报
Volume	24 Issue:12 Pages:1289-1292
Abstract	利用MOCVD（metalorganic chemical vapor deposition）和APCVD（atmosphere chemical vapor deposition）硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al_2O_3/Si SOI材料。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）及俄歇能谱（AES）对材料进行了表征。测试结果表明，外延生长的γ-Al_2O_3和Si薄膜都是单晶薄膜，其结晶取向为（100）方向，外延层中Al与O化学配比为2:3。同时，γ-Al_2O_3外延层具有良好的绝缘性能，其介电常数为8.3，击穿场强为2.5MV/cm。AES的结果表明，Si/γ-Al_2O_3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰。
metadata_83	中科院半导体所材料科学中心
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重点基础研究专项经费资助项目（No. G2 365）
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1241222
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17753
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	谭利文,王俊,王启元,等. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长[J]. 半导体学报,2003,24(12):1289-1292.
APA	谭利文.,王俊.,王启元.,郁元桓.,邓惠芳.,...&林兰英.(2003).双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长.半导体学报,24(12),1289-1292.
MLA	谭利文,et al."双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长".半导体学报 24.12(2003):1289-1292.

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