基于矢量光场的VCSEL数值模型

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	基于矢量光场的VCSEL数值模型
	赵鼎; 林世鸣
	2003
Source Publication	半导体学报
Volume	24 Issue:12 Pages:1297-1302
Abstract	提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型，在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、栽流子方程的前提下，采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述，计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态。文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合，通过计算获得器件中光场的详细信息。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	微电子学
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目（批准号
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1241233
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17751
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵鼎,林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. 半导体学报,2003,24(12):1297-1302.
APA	赵鼎,&林世鸣.(2003).基于矢量光场的VCSEL数值模型.半导体学报,24(12),1297-1302.
MLA	赵鼎,et al."基于矢量光场的VCSEL数值模型".半导体学报 24.12(2003):1297-1302.

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