SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于矢量光场的VCSEL数值模型
赵鼎; 林世鸣
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:12Pages:1297-1302
Abstract提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、栽流子方程的前提下,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述,计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态。文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合,通过计算获得器件中光场的详细信息。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1241233
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17751
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵鼎,林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. 半导体学报,2003,24(12):1297-1302.
APA 赵鼎,&林世鸣.(2003).基于矢量光场的VCSEL数值模型.半导体学报,24(12),1297-1302.
MLA 赵鼎,et al."基于矢量光场的VCSEL数值模型".半导体学报 24.12(2003):1297-1302.
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