Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
基于矢量光场的VCSEL数值模型 | |
赵鼎; 林世鸣 | |
2003 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 24Issue:12Pages:1297-1302 |
Abstract | 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、栽流子方程的前提下,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述,计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态。文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合,通过计算获得器件中光场的详细信息。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 微电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目(批准号 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1241233 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17751 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵鼎,林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. 半导体学报,2003,24(12):1297-1302. |
APA | 赵鼎,&林世鸣.(2003).基于矢量光场的VCSEL数值模型.半导体学报,24(12),1297-1302. |
MLA | 赵鼎,et al."基于矢量光场的VCSEL数值模型".半导体学报 24.12(2003):1297-1302. |
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