SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AlInGaN合金的发光机制研究
董逊; 黄劲松; 黎大兵; 刘祥林; 徐仲英; 王占国
2003
Source Publication人工晶体学报
Volume32Issue:6Pages:574-578
Abstract用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制。实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序。形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点)。伸展衰减函数中弥散指数β不仅随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导。进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划《信息功能材料相关基础问题》(No.G2 683- 6),国家自然科学基金(No.19974 45)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1242727
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17747
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
董逊,黄劲松,黎大兵,等. AlInGaN合金的发光机制研究[J]. 人工晶体学报,2003,32(6):574-578.
APA 董逊,黄劲松,黎大兵,刘祥林,徐仲英,&王占国.(2003).AlInGaN合金的发光机制研究.人工晶体学报,32(6),574-578.
MLA 董逊,et al."AlInGaN合金的发光机制研究".人工晶体学报 32.6(2003):574-578.
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