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GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 | |
冯淦; 朱建军![]() ![]() ![]() | |
2003 | |
Source Publication | 中国科学. G辑,物理
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Volume | 33Issue:2Pages:122-125 |
Abstract | 提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法.该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系.该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:698251 7),国家杰出青年基金(批准号:5 1161953),NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HUK 28/ )资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1275071 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17737 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 冯淦,朱建军,沈晓明,等. GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量[J]. 中国科学. G辑,物理,2003,33(2):122-125. |
APA | 冯淦.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,赵德刚.,...&梁骏吾.(2003).GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量.中国科学. G辑,物理,33(2),122-125. |
MLA | 冯淦,et al."GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量".中国科学. G辑,物理 33.2(2003):122-125. |
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