SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量
冯淦; 朱建军; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
2003
Source Publication中国科学. G辑,物理
Volume33Issue:2Pages:122-125
Abstract提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法.该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系.该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:698251 7),国家杰出青年基金(批准号:5 1161953),NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HUK 28/ )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1275071
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17737
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
冯淦,朱建军,沈晓明,等. GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量[J]. 中国科学. G辑,物理,2003,33(2):122-125.
APA 冯淦.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,赵德刚.,...&梁骏吾.(2003).GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量.中国科学. G辑,物理,33(2),122-125.
MLA 冯淦,et al."GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量".中国科学. G辑,物理 33.2(2003):122-125.
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