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| GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 | |
冯淦; 朱建军 ; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
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| 2003 | |
| Source Publication | 中国科学. G辑，物理
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| Volume | 33Issue:2Pages:122-125 |
| Abstract | 提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法．该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度，此比值与GaN样品厚度在t＜2μm为线性关系．该方法消除了因GaN吸收造成的影响，比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高，更方便可靠． |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰出青年基金（批准号：5 1161953）,NSFC-RGC联合基金（批准号：N_HUK 28/ ）资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1275071 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17737 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冯淦,朱建军,沈晓明,等. GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量[J]. 中国科学. G辑，物理,2003,33(2):122-125. |
| APA | 冯淦.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,赵德刚.,...&梁骏吾.(2003).GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量.中国科学. G辑，物理,33(2),122-125. |
| MLA | 冯淦,et al."GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量".中国科学. G辑，物理 33.2(2003):122-125. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4902.pdf（233KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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