SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
ZnS1-xTex混晶的压力光谱
方再利; 葛惟锟; 苏付海; 马宝珊; 刘南竹; 朱作明; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:4Pages:370-376
Abstract研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Ten(n≥2)等电子陷陆上的激子复合发光,且随压力(0.7GPa)而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小,随着Te组分的增加而减小,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量,与发光峰有关的吸收效率降低,发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1279716
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17735
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
方再利,葛惟锟,苏付海,等. ZnS1-xTex混晶的压力光谱[J]. 半导体学报,2003,24(4):370-376.
APA 方再利.,葛惟锟.,苏付海.,马宝珊.,刘南竹.,...&苏萌强.(2003).ZnS1-xTex混晶的压力光谱.半导体学报,24(4),370-376.
MLA 方再利,et al."ZnS1-xTex混晶的压力光谱".半导体学报 24.4(2003):370-376.
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