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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 | |
王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵![]() ![]() | |
2003 | |
Source Publication | 发光学报
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Volume | 24Issue:2Pages:135-138 |
Abstract | 采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量于点密度为6.3×10^10/cm^2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所;清华大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1279953 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17733 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓晖,李昱峰,陆大成,等. 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]. 发光学报,2003,24(2):135-138. |
APA | 王晓晖.,李昱峰.,陆大成.,刘祥林.,袁海荣.,...&韩培德.(2003).钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性.发光学报,24(2),135-138. |
MLA | 王晓晖,et al."钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性".发光学报 24.2(2003):135-138. |
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