SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
2003
Source Publication发光学报
Volume24Issue:2Pages:135-138
Abstract采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量于点密度为6.3×10^10/cm^2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明
metadata_83中国科学院半导体研究所;清华大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1279953
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17733
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王晓晖,李昱峰,陆大成,等. 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]. 发光学报,2003,24(2):135-138.
APA 王晓晖.,李昱峰.,陆大成.,刘祥林.,袁海荣.,...&韩培德.(2003).钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性.发光学报,24(2),135-138.
MLA 王晓晖,et al."钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性".发光学报 24.2(2003):135-138.
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