钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
	王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
	2003
Source Publication	发光学报
Volume	24 Issue:2 Pages:135-138
Abstract	采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明
metadata_83	中国科学院半导体研究所;清华大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1279953
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17733
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王晓晖,李昱峰,陆大成,等. 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]. 发光学报,2003,24(2):135-138.
APA	王晓晖.,李昱峰.,陆大成.,刘祥林.,袁海荣.,...&韩培德.(2003).钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性.发光学报,24(2),135-138.
MLA	王晓晖,et al."钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性".发光学报 24.2(2003):135-138.

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