SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN的声表面波特性研究
严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
2003
Source Publication发光学报
Volume24Issue:2Pages:161-164
Abstract采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度(ν)为5667m/s,机电耦合系数(κ^2)为1.9%。
metadata_83航天航空总公司二院23所声表面波公司;中国科学院声学研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1292129
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17727
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
严莉,陈晓阳,何世堂,等. GaN的声表面波特性研究[J]. 发光学报,2003,24(2):161-164.
APA 严莉.,陈晓阳.,何世堂.,李红浪.,韩培德.,...&王占国.(2003).GaN的声表面波特性研究.发光学报,24(2),161-164.
MLA 严莉,et al."GaN的声表面波特性研究".发光学报 24.2(2003):161-164.
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