超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺
	俊鹏; 郑红军; 赵冀; 朱蓉辉; 尹玉华
	2003
Source Publication	半导体学报
Volume	24 Issue:4 Pages:445-448
Abstract	在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验，并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度。研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度，并分析和讨论了其原因。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1292576
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17717
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	俊鹏,郑红军,赵冀,等. 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J]. 半导体学报,2003,24(4):445-448.
APA	俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,&尹玉华.(2003).超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺.半导体学报,24(4),445-448.
MLA	俊鹏,et al."超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺".半导体学报 24.4(2003):445-448.

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