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超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺 | |
俊鹏; 郑红军; 赵冀![]() | |
2003 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 24Issue:4Pages:445-448 |
Abstract | 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度。研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度,并分析和讨论了其原因。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1292576 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17717 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 俊鹏,郑红军,赵冀,等. 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J]. 半导体学报,2003,24(4):445-448. |
APA | 俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,&尹玉华.(2003).超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺.半导体学报,24(4),445-448. |
MLA | 俊鹏,et al."超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺".半导体学报 24.4(2003):445-448. |
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