SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
RTD高频等效电路的研究及应用现状
王建林; 刘忠立
2003
Source Publication电子器件
Volume26Issue:1Pages:29-33
Abstract详述了RTD器件各高频等效电路模型及其各模型的应用与适用条件。并在40GHz以下的频率范围内,用CECM描述RTD器件的高频特性也较成功。
metadata_83中国科学院半导体研究所微电子研发中心
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1293972
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17715
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王建林,刘忠立. RTD高频等效电路的研究及应用现状[J]. 电子器件,2003,26(1):29-33.
APA 王建林,&刘忠立.(2003).RTD高频等效电路的研究及应用现状.电子器件,26(1),29-33.
MLA 王建林,et al."RTD高频等效电路的研究及应用现状".电子器件 26.1(2003):29-33.
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