SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望
崔增文; 何山虎; 陈弘达; 毛陆虹; 高建玉
2003
Source Publication半导体技术
Volume28Issue:4Pages:30-32
Abstract从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
metadata_83兰州大学微电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1294465
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17711
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
崔增文,何山虎,陈弘达,等. 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望[J]. 半导体技术,2003,28(4):30-32.
APA 崔增文,何山虎,陈弘达,毛陆虹,&高建玉.(2003).标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望.半导体技术,28(4),30-32.
MLA 崔增文,et al."标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望".半导体技术 28.4(2003):30-32.
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