SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟
孙增辉; 陈弘达; 毛陆虹; 崔增文; 高鹏
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:3Pages:255-259
Abstract采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等。结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景。
metadata_83中国科学院半导体研究所;天津大学电子与信息工程学院
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划(批准号:2 1AA312 8 ,2 2AA31224 ,2 1AA122 32),国家自然科学基金(批准号:6989626 )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1295212
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17705
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙增辉,陈弘达,毛陆虹,等. 与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟[J]. 半导体学报,2003,24(3):255-259.
APA 孙增辉,陈弘达,毛陆虹,崔增文,&高鹏.(2003).与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟.半导体学报,24(3),255-259.
MLA 孙增辉,et al."与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟".半导体学报 24.3(2003):255-259.
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