SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
6H-SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
尚也淳; 张义门; 张玉明; 刘忠立
2003
Source Publication电子与信息学报
Volume25Issue:3Pages:389-394
Abstract对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明
metadata_83中国科学院半导体研究所电子研发中心;西安电子科技大学微电子研究所;西安电子科技大学
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1295565
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17699
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
尚也淳,张义门,张玉明,等. 6H-SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究[J]. 电子与信息学报,2003,25(3):389-394.
APA 尚也淳,张义门,张玉明,&刘忠立.(2003).6H-SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究.电子与信息学报,25(3),389-394.
MLA 尚也淳,et al."6H-SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究".电子与信息学报 25.3(2003):389-394.
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