SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
立方相GaN的持续光电导
张泽洪; 赵德刚; 孙元平; 冯志宏; 沈晓明; 张宝顺; 冯淦; 郑新和; 杨辉
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:1Pages:34-38
Abstract研究了金属有机物化学气相外延(MOVPE)方法生长的非故障掺杂的立方相GaN的持续光电导效应,在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关,而实验则显示在立方GaN中,持续光电导效应与其中的六方相GaN夹杂有关系,而与黄光发射没有关系,文中提出,立方相GaN与其中的六方相GaN夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因,通过建立势垒限制复合模型,解释了立方相GaN的持续光电导现象的物理过程,并对光电导衰减过程的动力学作了分析,对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding OrganizationNSFC-RGC联合基金(Nos.5 1161953,N_HKU 28/ )资助项目,国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1297998
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17689
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张泽洪,赵德刚,孙元平,等. 立方相GaN的持续光电导[J]. 半导体学报,2003,24(1):34-38.
APA 张泽洪.,赵德刚.,孙元平.,冯志宏.,沈晓明.,...&杨辉.(2003).立方相GaN的持续光电导.半导体学报,24(1),34-38.
MLA 张泽洪,et al."立方相GaN的持续光电导".半导体学报 24.1(2003):34-38.
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