SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质
李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:1Pages:39-43
Abstract为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法在生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM),透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究,AFM和TEM观察结果表明
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1297999
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17687
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李昱峰,韩培德,陈振,等. 表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质[J]. 半导体学报,2003,24(1):39-43.
APA 李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,&王占国.(2003).表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质.半导体学报,24(1),39-43.
MLA 李昱峰,et al."表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质".半导体学报 24.1(2003):39-43.
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