SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究
黄黎蓉; 李含辉; 胡振华; 黄永箴; 黄德修
2003
Source Publication中国激光
Volume30Issue:7Pages:633-636
Abstract通过理论分析和计算表明,适当地增加反射率,在同样的工作电流下,半导体光放大器(SOA)的增益将有所增大。合理地调节抗反膜的折射率的厚度,可以使TM模的反射率R_TM在一段波长范围内大于TE模的反射率R_TE,这样的反射率分布可以相对提高TM模的增益,在一定程度上改善SOA的偏振不灵敏性,通过抗反膜的设计来辅助解决偏振不灵敏的问题,可以使SOA在有源区和波导设计中获得更大的灵活性,更好地兼顾其他的性能要求.
metadata_83华中科技大学光电子工程系;武汉船舶通信研究所;中国科学院半导体所光电研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973项目资助课题(编号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1303002
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17677
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄黎蓉,李含辉,胡振华,等. 抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究[J]. 中国激光,2003,30(7):633-636.
APA 黄黎蓉,李含辉,胡振华,黄永箴,&黄德修.(2003).抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究.中国激光,30(7),633-636.
MLA 黄黎蓉,et al."抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究".中国激光 30.7(2003):633-636.
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