SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度
隋文辉; 章蓓; 王大军; 栾峰; 徐万径; 马晓宇
2003
Source Publication北京大学学报. 自然科学版
Volume39Issue:3Pages:331-335
Abstract针对半导体发光二极管(LED)出光效率低下的问题,提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。
metadata_83北京大学物理学院;中国科学院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学基金(6989626 ,6 77 22,6 276 34),集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1303638
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17675
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
隋文辉,章蓓,王大军,等. 用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度[J]. 北京大学学报. 自然科学版,2003,39(3):331-335.
APA 隋文辉,章蓓,王大军,栾峰,徐万径,&马晓宇.(2003).用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度.北京大学学报. 自然科学版,39(3),331-335.
MLA 隋文辉,et al."用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度".北京大学学报. 自然科学版 39.3(2003):331-335.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4871.pdf(184KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[隋文辉]'s Articles
[章蓓]'s Articles
[王大军]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[隋文辉]'s Articles
[章蓓]'s Articles
[王大军]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[隋文辉]'s Articles
[章蓓]'s Articles
[王大军]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.