SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
2003
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume23Issue:2Pages:135-138
Abstract在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料,利用反射高能电子衍射(RHEED)和扫描电镜(SEM)技术详细研究了Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的3C-SiC外延材料,并采用X- 射线衍射(XRD)、双晶X- 射线衍射(DXRD)和霍尔(Hall)测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究专项经费(G2 683),国家863高技术研究与发展项目(2 1AA311 9 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1307523
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17673
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙国胜,王雷,罗木昌,等. Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):135-138.
APA 孙国胜.,王雷.,罗木昌.,赵万顺.,朱世荣.,...&林兰英.(2003).Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究.固体电子学研究与进展,23(2),135-138.
MLA 孙国胜,et al."Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究".固体电子学研究与进展 23.2(2003):135-138.
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