SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
黄大定; 刘超; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影
2003
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume23Issue:2Pages:142-144
Abstract在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。
metadata_83中科院半导体所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1307548
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17671
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄大定,刘超,李建平,等. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):142-144.
APA 黄大定.,刘超.,李建平.,高斐.,孙殿照.,...&孔梅影.(2003).GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术.固体电子学研究与进展,23(2),142-144.
MLA 黄大定,et al."GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术".固体电子学研究与进展 23.2(2003):142-144.
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