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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 | |
黄大定; 刘超![]() | |
2003 | |
Source Publication | 固体电子学研究与进展
![]() |
Volume | 23Issue:2Pages:142-144 |
Abstract | 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。 |
metadata_83 | 中科院半导体所材料科学中心 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1307548 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17671 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄大定,刘超,李建平,等. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):142-144. |
APA | 黄大定.,刘超.,李建平.,高斐.,孙殿照.,...&孔梅影.(2003).GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术.固体电子学研究与进展,23(2),142-144. |
MLA | 黄大定,et al."GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术".固体电子学研究与进展 23.2(2003):142-144. |
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