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| GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 | |
黄大定; 刘超 ; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影
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| 2003 | |
| Source Publication | 固体电子学研究与进展
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| Volume | 23Issue:2Pages:142-144 |
| Abstract | 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所材料科学中心 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1307548 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17671 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄大定,刘超,李建平,等. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):142-144. |
| APA | 黄大定.,刘超.,李建平.,高斐.,孙殿照.,...&孔梅影.(2003).GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术.固体电子学研究与进展,23(2),142-144. |
| MLA | 黄大定,et al."GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术".固体电子学研究与进展 23.2(2003):142-144. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4869.pdf（295KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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