SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MTJ MRAM的特性分析与设计
尚也淳; 刘忠立
2003
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume23Issue:2Pages:229-235
Abstract对MTJ (磁隧道结)的GMR(巨磁阻)效应进行了分析。MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响。提出了一种4×1位MTJ MRAM(磁存储器)的电路结构,每个MRAM的存储单元由一个MTJ和一个MOSFET构成,用MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成MRAM数据的写入。
metadata_83中科院半导体所微电子研究中心
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1307765
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17669
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
尚也淳,刘忠立. MTJ MRAM的特性分析与设计[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):229-235.
APA 尚也淳,&刘忠立.(2003).MTJ MRAM的特性分析与设计.固体电子学研究与进展,23(2),229-235.
MLA 尚也淳,et al."MTJ MRAM的特性分析与设计".固体电子学研究与进展 23.2(2003):229-235.
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