ne-Si:H薄膜的内应力特性研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	ne-Si:H薄膜的内应力特性研究
	韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨
	2003
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	9 Issue:3 Pages:285-290
Abstract	测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
metadata_83	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1308358
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290.
APA	韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290.
MLA	韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
4867.pdf（347KB）			限制开放	--	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库