Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ne-Si:H薄膜的内应力特性研究 | |
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨 | |
2003 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
![]() |
Volume | 9Issue:3Pages:285-290 |
Abstract | 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc- Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。 |
metadata_83 | 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家863计划,教育部高等校博士点基金(2 22 6 37),北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1308358 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290. |
APA | 韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290. |
MLA | 韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4867.pdf(347KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment