SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
ne-Si:H薄膜的内应力特性研究
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨
2003
Source Publication功能材料与器件学报
Volume9Issue:3Pages:285-290
Abstract测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc- Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
metadata_83北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家863计划,教育部高等校博士点基金(2 22 6 37),北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1308358
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290.
APA 韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290.
MLA 韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290.
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