SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
王启元; 谭利文; 王俊; 郁元恒; 林兰英
2003
Source Publication功能材料与器件学报
Volume9Issue:3Pages:300-304
Abstract异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延r-A1-2O-3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构r-Al-2O-3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质SOl材料Si/r-Al-2O-3/Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)/r-Al-2O-3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)/ r-Al-2O-3(100)/Si(100),r-Al-2O-3与Si外延薄膜均为单晶,r-Al-2O-3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究规划项目(973)“系统芯片新器件新工艺的基础研究”TG2 365 6
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1308385
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17665
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启元,谭利文,王俊,等. 新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):300-304.
APA 王启元,谭利文,王俊,郁元恒,&林兰英.(2003).新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备.功能材料与器件学报,9(3),300-304.
MLA 王启元,et al."新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备".功能材料与器件学报 9.3(2003):300-304.
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