用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
	宁瑾; 刘忠立; 刘焕章; 葛永才
	2003
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	9 Issue:3 Pages:319-322
Abstract	提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构，然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料，既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点，又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。
metadata_83	中国科学院半导体研究所微电子中心
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1308397
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17663
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	宁瑾,刘忠立,刘焕章,等. 用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):319-322.
APA	宁瑾,刘忠立,刘焕章,&葛永才.(2003).用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构.功能材料与器件学报,9(3),319-322.
MLA	宁瑾,et al."用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构".功能材料与器件学报 9.3(2003):319-322.

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