SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
宁瑾; 刘忠立; 刘焕章; 葛永才
2003
Source Publication功能材料与器件学报
Volume9Issue:3Pages:319-322
Abstract提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。
metadata_83中国科学院半导体研究所微电子中心
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1308397
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17663
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
宁瑾,刘忠立,刘焕章,等. 用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):319-322.
APA 宁瑾,刘忠立,刘焕章,&葛永才.(2003).用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构.功能材料与器件学报,9(3),319-322.
MLA 宁瑾,et al."用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构".功能材料与器件学报 9.3(2003):319-322.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4865.pdf(228KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[宁瑾]'s Articles
[刘忠立]'s Articles
[刘焕章]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[宁瑾]'s Articles
[刘忠立]'s Articles
[刘焕章]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[宁瑾]'s Articles
[刘忠立]'s Articles
[刘焕章]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.