1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
	于丽娟; 金潮渊; 芦秀玲; 黄永箴
	2003
Source Publication	半导体光电
Volume	24 Issue:4 Pages:274-275
Abstract	采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 5)
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1311270
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17657
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	于丽娟,金潮渊,芦秀玲,等. 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J]. 半导体光电,2003,24(4):274-275.
APA	于丽娟,金潮渊,芦秀玲,&黄永箴.(2003).1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长.半导体光电,24(4),274-275.
MLA	于丽娟,et al."1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长".半导体光电 24.4(2003):274-275.

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