SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
于丽娟; 金潮渊; 芦秀玲; 黄永箴
2003
Source Publication半导体光电
Volume24Issue:4Pages:274-275
Abstract采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1311270
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17657
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于丽娟,金潮渊,芦秀玲,等. 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J]. 半导体光电,2003,24(4):274-275.
APA 于丽娟,金潮渊,芦秀玲,&黄永箴.(2003).1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长.半导体光电,24(4),274-275.
MLA 于丽娟,et al."1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长".半导体光电 24.4(2003):274-275.
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