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1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长 | |
于丽娟![]() | |
2003 | |
Source Publication | 半导体光电
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Volume | 24Issue:4Pages:274-275 |
Abstract | 采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 5) |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1311270 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17657 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 于丽娟,金潮渊,芦秀玲,等. 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J]. 半导体光电,2003,24(4):274-275. |
APA | 于丽娟,金潮渊,芦秀玲,&黄永箴.(2003).1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长.半导体光电,24(4),274-275. |
MLA | 于丽娟,et al."1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长".半导体光电 24.4(2003):274-275. |
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