SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展
黄昌俊; 王启明
2003
Source Publication物理
Volume32Issue:8Pages:528-532
Abstract在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对 Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性,使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强,同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件.文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/ Si量子点生长研究的重要进展,对其潜在的重要应用作出了评述.结合作者自己的研究结果,着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程,指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构,其发光效率比一维量子阱有很大增强.探讨了用模板衬底实现对Ce量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重大项目(批准号:5989626 ),国家重点基础研究发展计划(批准号:G2 366 3)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1317338
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17653
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄昌俊,王启明. 在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展[J]. 物理,2003,32(8):528-532.
APA 黄昌俊,&王启明.(2003).在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展.物理,32(8),528-532.
MLA 黄昌俊,et al."在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展".物理 32.8(2003):528-532.
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