SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究
章继东; 陈京好; 邓元明; 安龙; 章昊; 杨富华; 李国华; 郑厚植
2003
Source Publication光谱学与光谱分析
Volume23Issue:2Pages:223-225
Abstract由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究专项经费资助,No.G 1CB3 95
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1331989
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17645
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
章继东,陈京好,邓元明,等. 静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2003,23(2):223-225.
APA 章继东.,陈京好.,邓元明.,安龙.,章昊.,...&郑厚植.(2003).静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究.光谱学与光谱分析,23(2),223-225.
MLA 章继东,et al."静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究".光谱学与光谱分析 23.2(2003):223-225.
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