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| 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究 | |
刘斌 ; 方高瞻; 张敬明; 马骁宇; 肖建伟
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| 2003 | |
| Source Publication | 激光杂志
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| Volume | 24Issue:1Pages:22-23 |
| Abstract | 介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后，半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面，并对其进行氩离子清洗，俄歇电子能谱（AES）分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1338317 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17643 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘斌,方高瞻,张敬明,等. 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究[J]. 激光杂志,2003,24(1):22-23. |
| APA | 刘斌,方高瞻,张敬明,马骁宇,&肖建伟.(2003).对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究.激光杂志,24(1),22-23. |
| MLA | 刘斌,et al."对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究".激光杂志 24.1(2003):22-23. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4855.pdf（216KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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