SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究
刘斌; 方高瞻; 张敬明; 马骁宇; 肖建伟
2003
Source Publication激光杂志
Volume24Issue:1Pages:22-23
Abstract介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后,半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,并对其进行氩离子清洗,俄歇电子能谱(AES)分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1338317
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17643
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘斌,方高瞻,张敬明,等. 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究[J]. 激光杂志,2003,24(1):22-23.
APA 刘斌,方高瞻,张敬明,马骁宇,&肖建伟.(2003).对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究.激光杂志,24(1),22-23.
MLA 刘斌,et al."对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究".激光杂志 24.1(2003):22-23.
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