对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究
	刘斌; 方高瞻; 张敬明; 马骁宇; 肖建伟
	2003
Source Publication	激光杂志
Volume	24 Issue:1 Pages:22-23
Abstract	介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后，半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面，并对其进行氩离子清洗，俄歇电子能谱（AES）分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1338317
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17643
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘斌,方高瞻,张敬明,等. 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究[J]. 激光杂志,2003,24(1):22-23.
APA	刘斌,方高瞻,张敬明,马骁宇,&肖建伟.(2003).对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究.激光杂志,24(1),22-23.
MLA	刘斌,et al."对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究".激光杂志 24.1(2003):22-23.

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