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对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究 | |
刘斌![]() | |
2003 | |
Source Publication | 激光杂志
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Volume | 24Issue:1Pages:22-23 |
Abstract | 介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后,半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,并对其进行氩离子清洗,俄歇电子能谱(AES)分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1338317 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17643 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘斌,方高瞻,张敬明,等. 对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究[J]. 激光杂志,2003,24(1):22-23. |
APA | 刘斌,方高瞻,张敬明,马骁宇,&肖建伟.(2003).对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究.激光杂志,24(1),22-23. |
MLA | 刘斌,et al."对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究".激光杂志 24.1(2003):22-23. |
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