SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
曲宝壮; 朱勤生; 陈振; 陆大成; 韩培德; 刘祥林
2003
Source Publication功能材料与器件学报
Volume9Issue:1Pages:13-16
Abstract利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生和方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。
metadata_83中国科学院半导体所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(No.6 86 1,No.699 6 2),973基金(No.G2 683)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1353557
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17635
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
曲宝壮,朱勤生,陈振,等. 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(1):13-16.
APA 曲宝壮,朱勤生,陈振,陆大成,韩培德,&刘祥林.(2003).新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究.功能材料与器件学报,9(1),13-16.
MLA 曲宝壮,et al."新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究".功能材料与器件学报 9.1(2003):13-16.
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