SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和香; 丁琨
2003
Source Publication功能材料与器件学报
Volume9Issue:1Pages:25-30
Abstract利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nanocrystalline silicon,简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Ramam等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现:掺硼nc-Si:H薄膜的XRD只有一个峰,峰位在2θ≈47°,晶面指数为(220),属于金刚石结构。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺硼nc-Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能范围内nc-Si的晶面择优生长。随着掺硼浓度的增加,nc-Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化。nc-Si随射频功率密度的增大而长大,但晶态率降低。nc-Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高。nc-Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓。但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底温度、射频功率密度的变化引起薄膜中nc-Si晶面的择优生长。
metadata_83北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助课题(No.59982 2),教育部博士点基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1353560
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17633
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韦文生,王天民,张春熹,等. 掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(1):25-30.
APA 韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和香,&丁琨.(2003).掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长.功能材料与器件学报,9(1),25-30.
MLA 韦文生,et al."掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长".功能材料与器件学报 9.1(2003):25-30.
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