SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究
周大勇; 澜清; 孔云川; 苗振华; 封松林; 牛智川
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:2Pages:148-152
Abstract研究了分子束外延中引入原子氢后,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用,原子力显微镜(AFM),测试表明,在(311)AGaAs表面,原子氢导致了台阶状形貌的形成,在这种台阶状表面进一步生长了InAs量子点,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约,这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1354635
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17627
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周大勇,澜清,孔云川,等. 原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究[J]. 半导体学报,2003,24(2):148-152.
APA 周大勇,澜清,孔云川,苗振华,封松林,&牛智川.(2003).原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究.半导体学报,24(2),148-152.
MLA 周大勇,et al."原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究".半导体学报 24.2(2003):148-152.
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