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| GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响 | |
李永平; 澜清; 吴正龙; 周大勇; 孔云川; 牛智川 ; 田强; 杨锡震; 王亚非
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| 2003 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 24Issue:2Pages:168-172 |
| Abstract | 用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。 |
| metadata_83 | 北京师范大学物理系;中国科学院半导体研究所;北京师范大学分析测试中心 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金（批准号 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1354639 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17625 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李永平,澜清,吴正龙,等. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响[J]. 半导体学报,2003,24(2):168-172. |
| APA | 李永平.,澜清.,吴正龙.,周大勇.,孔云川.,...&王亚非.(2003).GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响.半导体学报,24(2),168-172. |
| MLA | 李永平,et al."GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响".半导体学报 24.2(2003):168-172. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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