SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响
李永平; 澜清; 吴正龙; 周大勇; 孔云川; 牛智川; 田强; 杨锡震; 王亚非
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:2Pages:168-172
Abstract用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2eV;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应,通过深能级瞬态谱(DLTLS)研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。
metadata_83北京师范大学物理系;中国科学院半导体研究所;北京师范大学分析测试中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1354639
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17625
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李永平,澜清,吴正龙,等. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响[J]. 半导体学报,2003,24(2):168-172.
APA 李永平.,澜清.,吴正龙.,周大勇.,孔云川.,...&王亚非.(2003).GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响.半导体学报,24(2),168-172.
MLA 李永平,et al."GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响".半导体学报 24.2(2003):168-172.
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