SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
李永平; 田强; 牛智川; 杨锡震; 吴正龙; 王亚非
2002
Source Publication北京师范大学学报. 自然科学版
Volume38Issue:4Pages:474-477
Abstract用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。
metadata_83北京师范大学物理学系;中科院半导体所;北京师范大学分析测试中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization教育部高等学校骨干教师资助计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1360389
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17611
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李永平,田强,牛智川,等. GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2002,38(4):474-477.
APA 李永平,田强,牛智川,杨锡震,吴正龙,&王亚非.(2002).GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究.北京师范大学学报. 自然科学版,38(4),474-477.
MLA 李永平,et al."GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究".北京师范大学学报. 自然科学版 38.4(2002):474-477.
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