SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
980mm脊开明波导激光器腔面非注放区的研究
刘斌; 张警明; 马骁宇; 肖建伟
2003
Source Publication激光与红外
Volume33Issue:2Pages:109-111
Abstract报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阴率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区沽少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW.同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50%。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1457298
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17597
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘斌,张警明,马骁宇,等. 980mm脊开明波导激光器腔面非注放区的研究[J]. 激光与红外,2003,33(2):109-111.
APA 刘斌,张警明,马骁宇,&肖建伟.(2003).980mm脊开明波导激光器腔面非注放区的研究.激光与红外,33(2),109-111.
MLA 刘斌,et al."980mm脊开明波导激光器腔面非注放区的研究".激光与红外 33.2(2003):109-111.
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