SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响
于广华; 李明华; 朱逢吾; 柴春林; 姜宏伟; 赖武彦
2003
Source Publication中国科学. E辑 技术科学
Volume33Issue:9Pages:778-782
Abstract实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu /NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex. 为了寻找其原因, 用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12 nm)/NiFe(7 nm), Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/Cu(4 nm)和Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/ Cu(3 nm)/NiFe(5 nm) 3种样品, 研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚, 但在第3种样品最上层的NiFe表面上, 探测到从下层偏聚上来的Cu原子. 认为: Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因.
metadata_83北京科技大学材料物理系;中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1485196
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17593
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于广华,李明华,朱逢吾,等. Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响[J]. 中国科学. E辑 技术科学,2003,33(9):778-782.
APA 于广华,李明华,朱逢吾,柴春林,姜宏伟,&赖武彦.(2003).Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响.中国科学. E辑 技术科学,33(9),778-782.
MLA 于广华,et al."Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响".中国科学. E辑 技术科学 33.9(2003):778-782.
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