SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响
陈长勇; 陈维德; 王永谦; 宋淑芳; 许振嘉
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:3Pages:736-739
Abstract对nc-Si/SiO_2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er~(3+)和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO_2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er~(3+)从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er~(3+)和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er~(3+)的非辐射复合,激发Er~(3+)产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er~(3+)被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1486729
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17589
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
陈长勇,陈维德,王永谦,等. 掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响[J]. 物理学报,2003,52(3):736-739.
APA 陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,&许振嘉.(2003).掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响.物理学报,52(3),736-739.
MLA 陈长勇,et al."掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响".物理学报 52.3(2003):736-739.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4815.pdf(328KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈长勇]'s Articles
[陈维德]'s Articles
[王永谦]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[陈长勇]'s Articles
[陈维德]'s Articles
[王永谦]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[陈长勇]'s Articles
[陈维德]'s Articles
[王永谦]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.