稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析
	徐艳月; 孔光临; 张世斌; 胡志华; 曾湘波; 刁宏伟; 廖显伯
	2003
Source Publication	物理学报
Volume	52 Issue:6 Pages:1465-1468
Abstract	利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高;光敏性也较好,光、暗电导比可以达到104,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜,在光强为50mW/cm2的卤钨灯光照24h后,光电导的衰退小于10%.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在光学跃迁中的动量选择定则发生松弛,因而具有大的光学吸收系数和较高的光敏性;相对于典型非晶硅而言,薄膜的中程有序度得到了较大的改善,并具有小的深隙态密度;薄膜中存在的纳米尺寸的微晶颗粒,提供了光生载流子的复合通道,在非晶母体中的电子空穴对可以转移到微晶颗粒中进行复合,这样抑制了非晶母体中的非辐射复合,从而降低了光致亚稳缺陷产生的概率.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重点基础研究发展项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1487072
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17587
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐艳月,孔光临,张世斌,等. 稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析[J]. 物理学报,2003,52(6):1465-1468.
APA	徐艳月.,孔光临.,张世斌.,胡志华.,曾湘波.,...&廖显伯.(2003).稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析.物理学报,52(6),1465-1468.
MLA	徐艳月,et al."稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析".物理学报 52.6(2003):1465-1468.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
4814.pdf（331KB）			限制开放	--	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库