SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
周剑平; 陈诺夫; 宋书林; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 林兰英
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:6Pages:1469-1473
Abstract采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1487097
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17585
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周剑平,陈诺夫,宋书林,等. Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究[J]. 物理学报,2003,52(6):1469-1473.
APA 周剑平.,陈诺夫.,宋书林.,柴春林.,杨少延.,...&林兰英.(2003).Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究.物理学报,52(6),1469-1473.
MLA 周剑平,et al."Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究".物理学报 52.6(2003):1469-1473.
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