SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据
安龙; 唐艳; 章继东; 姬扬; 谭平恒; 杨富华; 郑厚植
2003
Source Publication光谱学与光谱分析
Volume23Issue:3Pages:470-473
Abstract在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中,注入到入射端量子阱中的电子,首先经过子带间弛豫填充到较低能级,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构,流入收集电极,完成了整个输运过程.通过比较带间光荧光谱中E_2 -HH_1与E_1-HH_1两峰的强度,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据.这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率(量子级联激光器的主要机制)的有效方法,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究专项经费资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1488249
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17583
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
安龙,唐艳,章继东,等. 三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据[J]. 光谱学与光谱分析,2003,23(3):470-473.
APA 安龙.,唐艳.,章继东.,姬扬.,谭平恒.,...&郑厚植.(2003).三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据.光谱学与光谱分析,23(3),470-473.
MLA 安龙,et al."三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据".光谱学与光谱分析 23.3(2003):470-473.
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