SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SiC Schottky结反向特性的研究
尚也淳; 刘忠立; 王姝睿
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:1Pages:211-216
Abstract对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的.
metadata_83中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1490055
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17579
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
尚也淳,刘忠立,王姝睿. SiC Schottky结反向特性的研究[J]. 物理学报,2003,52(1):211-216.
APA 尚也淳,刘忠立,&王姝睿.(2003).SiC Schottky结反向特性的研究.物理学报,52(1),211-216.
MLA 尚也淳,et al."SiC Schottky结反向特性的研究".物理学报 52.1(2003):211-216.
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