SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
2003
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume23Issue:4Pages:484-488
Abstract用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm=1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A.
metadata_83中科院半导体所材料科学中心;中国科学院微电子中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization中科院创新项目经费,国家自然科学基金重点项目,"863"经费的资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1491937
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17575
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王晓亮,胡国新,王军喜,等. MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(4):484-488.
APA 王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘宏新.,孙殿照.,...&钱鹤.(2003).MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT.固体电子学研究与进展,23(4),484-488.
MLA 王晓亮,et al."MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT".固体电子学研究与进展 23.4(2003):484-488.
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