SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究
朱天伟; 张元常; 徐波; 刘峰奇; 王占国
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:8Pages:2087-2091
Abstract采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1493431
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17573
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
朱天伟,张元常,徐波,等. 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究[J]. 物理学报,2003,52(8):2087-2091.
APA 朱天伟,张元常,徐波,刘峰奇,&王占国.(2003).具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究.物理学报,52(8),2087-2091.
MLA 朱天伟,et al."具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究".物理学报 52.8(2003):2087-2091.
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